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叶葱

发布时间:2017-12-27      来源:027dns       阅读次数:

 

 

叶葱,女,1981年生。湖北大学物理与电子科学学院教授、博士生导师。毕业于中科院固体物理研究所,博士。湖北省“杰出青年”基金、湖北省优秀青年骨干人才、湖北省科协技术委员会委员、湖北大学首届“青年英才支持计划”获得者、湖北大学首届十佳女职工。台湾中山大学物理系、美国普渡大学电气工程系访问学者。研究高介电常数薄膜材料、集成电路存储器件、第一性原理计算等。相关研究成果在IEEE Trans. Electron Devices、Applied Physics Letter、RSC advances等重要国际学术期刊发表论文50余篇。长期与台湾中山大学、中科院微电子所等建立合作研究及研究生联合培养。

邮箱:yecong@issp.ac.cn

 

一、主持的科研项目

1.国家自然科学基金面上项目:柔性自整流阻变存储器机理及性能调控研究2018.1-2021.12 (75.6万)主持

2.国家自然科学基金面上项目:超低功耗氧化物阻变存储器的研制及其阻变机理的探究2015.1-2018.12 (75万)主持

3.国家重点研发计划:新型高密度存储材料与器件子课题:高性能阻变和铁电存储器关键材料研究2017.7-2021.1 (37万)研究骨干

4.集成光电子学国家重点联合实验室开放基金:基于光电协同作用柔性透明阻变存储器研制及阻变机理探究2015.1-2017.12 (5万)主持

5.中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题2017.5-2018.92万)主持

6.国家自然科学基金青年基金项目2011.1-2013.12 (20万)主持

7.湖北省自然科学基金杰青重点项目2015.1-2017.12 (20万)主持

8.湖北省新世纪高层次人才工程优秀青年骨干人才计划2017.1-2018.12主持

9.湖北省教育厅青年基金2009.1-2010.12主持

10.湖北省教育厅青年教师出国留学项目2013.9-2014.3主持

11.《薄膜物理与技术》湖北大学资源共享精品课程2013.1-2015.12

12.教研项目:信息时代电子科学与技术专业学生综合能力培养的研究与实践

13.湖北省大学生创新训练项目:低功耗阻变式存储器芯片关键技术研发

 

二、学术荣誉奖励

1.湖北省2015年新世纪高层次人才工程优秀青年骨干人才

2.湖北省科技厅2015年“杰出青年基金”人才项目

3. 2014年获湖北大学青年英才支持计划

 

三、2014-2018以第一作者/通讯作者发表学术论文及专利

1. Q. Xia, J. J. Wu, C. H Pan,C. Ye*, et al, Impact of Forming Compliance Current on Storage Window Induced by a Gadolinium Electrode in Oxide-Based Resistive Random Access Memory. IEEE TED. Volume: 65, 96-100 (2018)

2. P. He,C.Ye*, J. J. Wu, et al. Effect of sputtering atmosphere on the characteristics of ZrOxresistive switching memory.Semicond. Sci. Technol.32: 055016(2017)

3.C. Ye, J. J. Wu, C. H. Pan, et al Boosting the performance of resistive switching memory with a transparent ITO electrode using supercritical fluid nitridation, RSC Adv. 7, 11585 (2017)

4.C. Ye, T. F. Deng, J. C. Zhang et al , Enhanced resistive switching performance for bilayer HfO2/TiO2resistive random access memory, Semicond. Sci. Technol. 31, 105005 (2016)

5.C. Ye, J. J. Wu, G. He*, et al Physical Mechanism and Performance Factors of Metal Oxide Based Resistive Switching Memory: A Review, J. Mater. Sci. Technol. 32, 1 (2016)

6. J. J. Wu,C. Ye*, et al, Multilevel characteristics for bipolar resistive random access memory based on hafnium doped SiO2switching layer, Mat. Sci. Semicon. Proc. 43, 144 (2016)

7. T. F. Deng,C. Ye*, et al Improved performance of ITO/TiO2/HfO2/Pt random resistive accessory memory by nitrogen annealing treatment, Microelectron. Reliab. 57, 34 (2016)

8.C. Ye, T. F. Deng, et al Role of ITO electrode in the resistive switching behavior of TiN/HfO2/ITO memory devices at different annealing temperatures, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 051201 (2015)

9. Y. H. Zhou,C. Ye*et al, The Electronic Transport Properties in Boron-Doped Armchair Graphene Nanoribbon Junctions, Nanosci. Nanotech. Lett. 7, 630 (2015)

10.叶葱*,詹超,邓腾飞,吴加吉,何品,段金霞,王浩,不同退火气氛下钛掺杂氧化铪阻变存储器的性能研究,中国科学:技术科学, 45, 12 (2015)

11. J. Q. Zhang, Z. X. Li, H. Zhou,C. Ye*and H. Wang; Electrical, optical and micro-structural properties of ultra-thin HfTiON Films, Appl. Surf. Sci. 294, 58 (2014)

12.C. Ye, C. Zhan, T. M. Tsai et al, Low-power bipolar resistive switching TiN/HfO2/ITO memory with self-compliance current phenomenon, Appl. Phys. Express 7, 034101 (2014)

13.C. Ye, C. Zhan, J. Q. Zhang, et al, Influence of rapid thermal annealing temperature on structure and electrical properties of high permittivity HfTiO thin film used in MOSFET, Microelectron. Reliab. 54, 388 (2014)

14.叶葱,夏晴,何品,张儒林.发明专利:一种基于电极铪(Hf)掺杂的低功耗阻变存储器及其制备方法.申请号:201710579514.0

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