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叶葱

发布时间:2013-04-09      来源:027dns       阅读次数:

叶葱,女,1981年生。湖北大学物理与电子科学学院教授。毕业于中科院固体物理研究所,博士。湖北省“杰出青年”基金、湖北省优秀青年骨干人才、湖北大学首届“青年英才支持计划”获得者。台湾中山大学物理系、美国普渡大学电气工程系访问学者。研究高介电常数栅介质薄膜材料;集成电路电子器件,如场效应晶体管(MOSFET)新型非挥发性存储器如阻变存储器(RRAM);光电平板显示薄膜晶体管(TFT)。长期与台湾中山大学中科院微电子所等建立合作研究及研究生联合培养。

邮箱:yecong@issp.ac.cn

 

一、主持的科研项目

1. 国家自然科学基金面上项目 2015.1-2018.12 (75万)主持

2. 国家自然科学基金青年基金项目 2011.1-2013.12 (20万)主持

3. 湖北省自然科学基金杰青重点项目 2015.1-2017.12 (20万)主持

4. 集成光电子学国家重点联合实验室开放基金 2017.1-2018.12 (5万)主持

5. 湖北省新世纪高层次人才工程优秀青年骨干人才计划2017.1-2018.12主持

6. 湖北省教育厅青年基金 2009.1-2010.12 主持

7. 湖北省教育厅青年教师出国留学项目 2013.9-2014.3 主持

8. 《薄膜物理与技术》湖北大学资源共享精品课程 2013.1-2015.12

9. 教研项目:信息时代电子科学与技术专业学生综合能力培养的研究与实践

10. 湖北省大学生创新训练项目:低功耗阻变式存储器芯片关键技术研发

 

二、学术荣誉奖励

1. 湖北省2015年新世纪高层次人才工程优秀青年骨干人才

2. 湖北省科技厅2015年“杰出青年基金”人才项目

3. 2014年获湖北大学青年英才支持计划

 

三、近三年发表部分学术论文

1. C. Ye, J. J. Wu, C. H. Pan, et al Boosting the performance of resistive switching memory with a transparent ITO electrode using supercritical fluid nitridation, RSC Adv. 7, 11585 (2017)

2. C. Ye, T. F. Deng, J. C. Zhang et al , Enhanced resistive switching performance for bilayer HfO2/TiO2resistive random access memory, Semicond. Sci. Technol. 31, 105005 (2016)

3. C. Ye, J. J. Wu, G. He*, et al Physical Mechanism and Performance Factors of Metal Oxide Based Resistive Switching Memory: A Review, J. Mater. Sci. Technol. 32, 1 (2016)

4. J. J. Wu,C. Ye*, et al, Multilevel characteristics for bipolar resistive random access memory based on hafnium doped SiO2switching layer, Mat. Sci. Semicon. Proc. 43, 144 (2016)

5. T. F. Deng,C. Ye*, et al Improved performance of ITO/TiO2/HfO2/Pt random resistive accessory memory by nitrogen annealing treatment, Microelectron. Reliab. 57, 34 (2016)

6. C. Ye, T. F. Deng, et al Role of ITO electrode in the resistive switching behavior of TiN/HfO2/ITO memory devices at different annealing temperatures, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 051201 (2015)

7. Y. H. Zhou,C. Ye*et al, The Electronic Transport Properties in Boron-Doped Armchair Graphene Nanoribbon Junctions, Nanosci. Nanotech. Lett. 7, 630 (2015)

8. J. Q. Zhang, Z. X. Li, H. Zhou,C. Ye*and H. Wang; Electrical, optical and micro-structural properties of ultra-thin HfTiON Films, Appl. Surf. Sci. 294, 58 (2014)

9. C. Ye, C. Zhan, T. M. Tsai et al, Low-power bipolar resistive switching TiN/HfO2/ITO memory with self-compliance current phenomenon, Appl. Phys. Express 7, 034101 (2014)

10. C. Ye, C. Zhan, J. Q. Zhang, et al, Influence of rapid thermal annealing temperature on structure and electrical properties of high permittivity HfTiO thin film used in MOSFET, Microelectron. Reliab. 54, 388 (2014)

11. C Ye, Y. Wang, J. Zhang, et al,. Evidence of interface conversion and electrical characteristics improvement of ultra-thin HfTiO films upon rapid thermal annealing. Appl. Phys. Lett. 99(18), 033501(2011)

12. 叶葱*,詹超,邓腾飞,吴加吉,何品,段金霞,王浩,不同退火气氛下钛掺杂氧化铪阻变存储器的性能研究,中国科学:技术科学, 45, 12 (2015)

13. P. He, C.Ye*, J.J. Wu, W. Wei, X. D. Wei, H. Wang, R. L. Zhang, L. Zhang, Q. Xia and H. B. Wang, Effect of sputtering atmosphere on the characteristics of ZrOx resistive switching memory Semicond. Sci. Technol. 32, 055016 (2017).

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